半导体晶圆片超声波清洗机

一、工作原理

二、核心参数

1. 超声频率

   常规超声：28kHz、40kHz、68kHz，去污冲击力强，用于粗洗；

   兆声波：800kHz～2MHz，柔和精细清洗，图形晶圆、超薄晶圆专用。

2. 功率密度：0.3～1.2W/cm²，可调，兼顾清洗力与晶圆表面低损伤要求。

3. 适配晶圆尺寸：2 英寸、4 英寸、6 英寸、8 英寸、12 英寸，可定制兼容。

4. 温控精度：±0.5℃，温控区间常温～100℃，保证药液反应速率稳定。

5. 过滤精度：0.05μm～0.2μm 多级精密循环过滤，防止颗粒二次附着。

6. 清洗均匀性：片内均匀性、批次间均匀性偏差≤±3%。

7. 洁净管控：可控制 0.1μm 微粒增量，满足半导体洁净车间制程要求。

8. 运行模式：半自动人工上下料、全自动机械手批量转运、单片旋转喷淋式可选。

9. 槽体材质：PP、PVDF、特氟龙防腐材质，耐受酸碱清洗药液。

三、应用范围

1. 硅基晶圆制程：硅片切割、研磨、抛光、刻蚀、镀膜、光刻前后清洗，去除颗粒、残胶、氧化层与金属离子污染；

2. LED 衬底行业：蓝宝石衬底、PSS 图形化衬底、外延片预处理与后道清洗；

3. 第三代半导体：碳化硅 SiC、氮化镓 GaN 晶圆、功率器件衬底清洗；

4. 芯片封装测试：划片后清洗、凸点制程、TSV 通孔、晶圆键合前后洁净处理；

5. 微纳器件领域：MEMS 传感器晶圆、光学晶圆、射频芯片、激光芯片精密清洗；

6. 科研试样加工：实验室小批量晶圆打样、新材料衬底研发清洗工序。