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半导体晶圆片腐蚀机

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  • 商品说明

常用腐蚀药液 & 适配材料


腐蚀药液腐蚀对象应用场景
稀氢氟酸 DHFSiO₂氧化层、自然氧化膜去原生氧化层、接触孔预腐蚀
BOE 缓冲氢氟酸二氧化硅介质层钝化层开窗、薄氧化层微调腐蚀
酸混合液 (HF+HNO₃)单晶硅、多晶硅硅片背面减薄、硅沟槽粗腐蚀
磷酸混合液氮化硅 Si₃N₄、铝金属层钝化层刻蚀、铝布线腐蚀
SPM 硫酸双氧水光刻胶剥离、有机残渣去胶、干法刻蚀后残胶去除

性能

  1. 腐蚀速率：Å/min~μm/min 可调，配方精准可控

  2. 片内均匀性 WTW、批次均匀性 BTB：≤±2%

  3. 选择比：目标材料腐蚀速度 / 掩膜腐蚀速度（越高工艺越稳定）

  4. 过刻蚀余量可控，防止基底损伤

  5. 颗粒管控：0.1μm 颗粒增量满足半导体洁净厂房标准


应用范围

  1. 硅基集成电路：前道晶圆刻蚀、氧化层去除、钝化层开窗

  2. LED 行业：蓝宝石衬底图形化 PSS 腐蚀、外延片处理

  3. 宽禁带半导体：SiC、GaN 晶圆槽道、台面刻蚀

  4. 先进封装：TSV 通孔、Bumping 凸点腐蚀、晶圆临时键合解键合腐蚀

  5. MEMS 传感器、光学元件、射频器件、功率半导体加工


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