半导体清洗机

一、工作原理

1、物理清洗核心原理

1. 超声波 / 兆声波空化清洗

   发生器输出高频电能，经压电换能器转化高频机械振动传入清洗药液，液体生成微小真空气泡，气泡瞬间溃灭产生高压冲击波与微射流，剥离晶圆表面微米 / 亚微米粉尘、颗粒杂质。

• 40kHz 常规超声：去除大颗粒污物；

• 800kHz~2MHz 兆声波：冲击力更柔和，不会损伤超薄晶圆、精密线路，适配先进制程微颗粒清洗。

2. 喷淋冲击清洗

   高压超纯水 + 药液扇形喷淋冲刷，定向冲离表面松散污染物，配合旋转甩干带走剥离杂质。

2、化学清洗原理

• SC-1（氨水 + 双氧水）：去除有机污渍、颗粒、光刻胶残渣；

• SC-2（盐酸 + 双氧水）：剥离铁、钠、铜等重金属离子污染；

• 稀氢氟酸 DHF：去除自然氧化层；

  药液恒温精准配比，可控蚀刻速率，避免过腐蚀损伤晶圆结构。

3、全自动整机运行逻辑（龙门槽式机型主流）

1. 机械手真空吸附 / 晶圆载篮装载硅片、碳化硅、氮化镓晶圆；

2. PLC 程序控制自动依次进入药液蚀刻清洗→多道超纯水溢流漂洗→慢拉脱水→氮气烘干；

3. 全程密闭无尘、药液温控实时监控，自动配比补液，工序完成自动下料，可 24 小时连续量产；

4. 全程在百级 / 千级无尘腔体内部运行，杜绝环境二次污染。

二、技术参数

1、适配工件规格

• 适用晶圆尺寸：4 寸、6 寸、8 寸、12 寸（可兼容硅片、SiC、GaN、玻璃衬底）

• 承载方式：特氟龙晶圆花篮 / 真空吸盘机械手

• 单次产能：1~4 篮同步清洗，单篮 25/50 片晶圆

2、槽体防腐结构（半导体高纯度要求）

• 药液槽材质：高纯 PFA、PTFE、PP 耐腐材质，无金属析出、耐强酸强碱；

• 漂洗槽：316L 电解抛光不锈钢，防止离子析出污染；

• 整机配置：密闭无尘腔、酸雾负压排风、废气废液分类收集系统。

3、超声 / 兆声波系统

• 频率可选：40kHz 超声波 / 1MHz、1.2MHz 兆声波

• 功率：单槽 900W~4500W，功率 0~100% 无级调节

• 配置独立变频发生器、防震动屏蔽震板，减少交叉污染

4、药液与水循环系统

• 温控范围：室温～85℃，控温精度 ±0.5℃；

• 循环过滤：每槽配置耐腐磁力泵 + 0.05μm/0.1μm 高精度精密过滤器；

• 功能：药液自动配比、在线浓度监测、自动补液、溢流置换 DI 超纯水；

• 供水要求：18.2MΩ・cm 一级超纯水。

5、电气与无尘配置

• 控制系统：PLC+10/15 寸工业触摸屏，存储多套清洗工艺配方；

• 安全保护：高低液位报警、漏液检测、温度超限、机械手防撞、紧急停机；

• 洁净等级：整机内部百级 / 千级无尘设计，适配洁净车间；

• 供电：三相 380V 50Hz；

• 选配：氮气鼓泡、IPA 蒸汽干燥、在线颗粒检测、工艺数据存储追溯、防爆结构。

三、应用范围

1、硅基集成电路晶圆制造（核心场景）

2、第三代半导体材料

3、光伏 & 半导体光伏电池

4、光学玻璃与掩模版清洗

5、封装测试制程清洗

6、半导体配套石英配件清洗